2017年6月26日，我校2013级本科生赵双星为第一作者的题为"A 2×V_DD-Enabled Fully-Integrated Low-Dropout Regulator with Fast Transient Response "的论文被“超大规模集成电路-片上系统国际会议（VLSI-SoC’2017）“国际会议录用，并获邀请将于2017年10月23日至26日赴阿联酋首府阿布扎比做口头报告。该论文介绍了一种创新的可工作于2倍输入电压范围的片上全集成低压差线性稳压器，该设计采用工业界标准的CMOS工艺实现，在工作电压范围、瞬态负载响应等方面具有良好性能。论文指导老师为我校工学院电子与电气工程系詹陈长助理教授。

 "超大规模集成电路-片上系统国际会议（VLSI-SoC）"，是电气及电子工程师学会（IEEE）主办的集成电路芯片设计领域最重要的国际会议之一，每年吸引全球范围内大量相关学术界、工业界研究人员的关注和参与，会议目的是提供一个论坛来交流关于数字、模拟和混合信号等超大规模片上系统的最新研究成果。今年会议的主题为：“物联网：片上系统的机会和挑战”。

会议网址：http://vlsisoc2017.ozyegin.edu.tr/

值得特别关注的是，根据会议技术程序委员会的统计，今年VLSI-SoC的论文录用率仅为29%，这显示出我校本科生的科研水平获得高度认可；另外，本论文研究成果也进行了国家发明专利申请；赵双星同学的毕业论文还获得推荐成为我校优秀毕业论文，祝贺他！

图片1：本文设计的芯片照片

图片2：赵双星同学在实验室测试芯片性能指标